最新生产工艺技术对比

    下面的图表显示出，在当前高精度芯片技术下的 NFET (X-axis) 和 PFET (Y-axis)的性能。值计算下来为1000 * V dd / I on，这里使用大值1000是为了确保值能够接近于1。较小的值表示更小的延迟和更快的晶体管。

     图表右上角是更先进的工艺，左下角为较老的工艺。其中使用 high-k/metal栅极堆栈的工艺标注为正方形，而使用传统工艺技术的则使用菱形标记。各家公司使用了不同的颜色进行标注，其中蓝色代表Intel，绿色代表IBM联盟，红色代表TSMC，橙色代表富士通，棕色表示TI。

      在论文中，IBM 45nm SOI的电流为 200nA/um I off，因此作者估计AC截止电流为 100nA/um I off，而DC截止电流由于自散热效果因此会低一些。

100nA/um I off 下的晶体管截止电流（点击放大）

     从结果来看，IBM和Intel的晶体管性能最强，其中Intel PMOS性能高出7％。这也表示Intel，IBM 和AMD的设计团队的设计基础是基本接近的。根据介绍，Intel将会在2009年晚些时候推出32nm工艺，这要比IBM和AMD领先将近1年。这也意味着在将近一年的时间里，Intel会拥有性能上的优势。

      IBM 45nm high-k /metal栅极SOI工艺给人的印象相当深刻，基本上体现了32nm工艺的性能。不过从描述来看应该是以研究为主，可能并不会获得实际生产。不这令人惊讶的是，Intel较老的45nm high-k/metal工艺则经受住了考验。当然如果让其与32nm high-k/metal工艺进行竞争，是肯定没有指望的。

       IBM与TSMC均展示了32nm bulk工艺出色的性能，以及相对于当前45nm工艺的提升。IBM与TSMC两家公司基本相同，但是有略有区别，其中TSMC的PFETs性能更好，但是在NFET 性能上要略逊一筹。

（点击放大）

    上图展示了不同工艺下的间距，可以看到45nm和32nm在间距上的差距是明显的。