IBM 45nm SOI 介绍

　　在SOI联盟中，IBM、Freescale和AMD都已经在开发45nm high-k/metal栅极，这三个合作者展示了一篇有关32nm工艺的论文，主要聚集于high-k/metal栅极 32nm SOI工艺的产量。其中的一个主要摘要，就是异常高的驱动电流以及小尺寸16Mb阵列的超小SRAM芯片。而在IEDM 2008上，则讨论了45nm工艺使用high-k/metal栅极堆栈的尝试。

I on vs. I off 曲线， IBM高精度45nm SOI工艺

　　上面这张图片显示的是截止电流。根据报道，AC驱动电流为1632/1192uA/um 、200nA/um Ioff和1.0Vdd；这个在图上显示为黑色的线。由于SOI的自散热效果，DC截止电流要低一些。

　　实验及模拟数据显示了，将L gate降至25nm以及EOT由1.4nm降至 1.2nm后的电容损失。同时模拟结果进一步显示了，当需要23nm L gate时，EOT需要降至1.0nm。