IBM 32nm Bulk 介绍

　　Common Platform alliance透露了有关计划应用于主流产品的高性能bulk 32nm工艺的目的，比如消费类产品、显卡以及其他计算机并行设备产品。Common Platform的主要生产合作伙伴为IBM、Chartered和三星，后来加入的合作伙伴包括有Infineon，Freescale，ST Microelectronics 以及 Toshiba。这也使得IBM重返高性能bulk芯片领域，同时IBM与common platform在将130nm应用在SOI后，就已经公布了低功耗bulk工艺的结果。

　　在VLSI 2008上，32nm工艺所使用的单金属栅极就已经公布，同时通过以前的四项重要技术提升了性能。在NFET方面，则使用应变记忆技术（stress memorization）和 tensile stress liners技术来提升性能，同时PFETs则通过内置资源以及SiGe获得改进。这样 NMOS和 PMOS晶体管栅极有效氧化物的厚度可以按比例减少至1.2nm和1.4nm，不过这个要比在IEDM上展示的其他32nm工艺厚。

I on vs. I off 曲线，IBM高性能32nm bulk 工艺

　　上图展示的是该工艺下I on和I off 曲线，以及在 1250/855uA/um / 100nA/um I off 和 0.9V dd情况下的NMOS/PMOS截止电流。在相同V dd和低漏电10nA/um条件下，结果为1050/650uA/um，而在最低漏电水平1nA/um时则为855/550uA/um。

0.157um 2 SRAM 内存，IBM高精度32nm bulk 工艺

　　之前的工艺节点并不适合于SRAM的按比例发展，这是由于特征尺寸下减少尺寸的晶体管的漏电限制。high-k/metal栅极堆栈消除了这些限制，而SRAM芯片的尺寸可以达到0.157um²。这个面积只是前一代产品的1/2。上图所展示的就是该SRAM芯片，可以看到其界限与两次图形曝光一样。而一个重要指标“ contacted gate pitch”为126nm。

　　分级互联堆栈据报可以将一级金属层缩小0.7倍，同时可以在相同容量下加入一个新的4x金属层以大量减少电阻。而额外的一个low-k互连绝缘层(k~2.4)则用于金属布线绝缘。