TSMC高精度32/28nm工艺

     TSMC也展示了高精度32nm工艺的相关介绍，不过业界主要聚焦于它的28nm半节点，这个工艺主要面向的是性能级GPU、FPGAs 以及一些移动设备产品。同时根据一些报道，很多用户更关心28nm工艺，而不是32nm工艺。不幸的是，TSMC并没有做出相关的展示（包括28nm工艺信息）。TSMC的28nm工艺选择的是“gate first”，内置 SiGe的high-k gate/metal-gate材料及应变氮化物，这些都可以增加NMOS晶体管的性能。TSMC第二代193nm沉浸光刻技术 (NA=1.35)用于所有的critical层。  

I on vs. I off曲线， TSMC高精度32nm 工艺

     TSMC报道了32nm工艺下的高性能驱动电流，从上图可以看到达到了1340/940uA/um和100nA/um I off 1.0V dd 以及980/650uA/um/ 100na/um I off / 0.85V dd。下图则显示出了固定100nA/um电流下时的NMOS 和 PMOS的电流强度。根据报道，TSMC同样会对最低功耗实现尽可能的优势。

L gate vs. I on，TSMC32nm工艺

     TSMC展示了基于其32nm工艺的2Mb SRAM 测试芯片所使用的 0.15um² SRAM芯片。如果是28nm工艺，那么SRAM芯片尺寸将只有0.13um²。

0.15um 2 SRAM内存，基于 TSMC 32nm 工艺

     上图则显示了栅腐蚀后SEM 的32nm芯片，这里同样显示出了二次图形曝光的效果。TSMC的栅极接点间隔将会决定芯片的密度，32nm工艺下为130nm，28nm工艺上则为117nm。TSMC的互连堆栈则最多使用了low-k (<=2.55)绝缘体Cu互连层，这样45nm以上工艺可以增加30％以上的金融容量。