谈22nm/3D晶体管与Haswell架构的故事

　　微型计算机的发展推动了芯片的不断革新，Intel最近发布了旗下最新的产品——第四代酷睿智能处理器。新品采用了哪些非同寻常的设计理念？又将怎样影响未来的PC呢？工艺制程的运用将会直接影响整颗产品的性能，我们今天一起来看看Haswell架构芯片工艺制程的革新。

　　22nm工艺制程和3D晶体管（3-D三栅极晶体管）早在2012年就被Intel应用到IVB架构中，在Haswell架构里Intel继续沿用。两大技术的沿用有利于产品的能耗表现，其目的就是用更低的耗电量换来更多的性能提升。22纳米工艺制程和3-D三栅极晶体管可以提升单位面积下的晶体管数量（更小的晶体管单位可以提升晶体管的集成量）。

22nm工艺制程对比32nm工艺制程

　　从面积来看22纳米和32纳米之间的对比，22纳米工艺制程设计的电路会比32纳米更加复杂，而同样的，如果两者之间采用同样的电路设计，那么22纳米工艺无疑会比32纳米的体积更小，同时由于工艺的原因，22纳米带来的电能消耗也会更低——因为22纳米的漏电现象会比32纳米改良很多。当然，由于22纳米的构架是立体3D式的，所以实际的晶圆面积大小和我们的示意图还是有所不同的，我们只是先建立这么一个基础的模型，以让读者能够在心中树起这么一个对比的概念。