更好的制程能够带来什么？这是个非常好的问题。在之前我们说过了，22纳米给我们带来的就是同样晶体管数量可以放在更小的空间内，反过来理解就是：工程师们能够在同样的空间内放入更多的晶体管，事实上Haswell的内部架构正是得益于这种趋于完善的22纳米3-D三栅极晶体管工艺而做出了架构上的极大改善，让我们先来看一看Haswell的内部架构示意图。

Haswell核心架构

　　在Haswell处理器电路中设计有功耗单元，这是英特尔用来精确调整CPU核心供电的技术。目前的主板上一般都设计有CPU供电系统，我们在评价一款主板的时候往往会先看这款主板的供电“有多少相”，这就是主板的供电模块。为了提高对CPU的供电效率，主板厂商往往使用多相供电，技嘉的Z77X-UP7主板供电高达32相，显然英特尔需要精度更高的调压模块，所以Haswell就是英特尔的第一步：将VRM模块集成到CPU内，英特尔将其称为FIVR——全集成式电压调节模块。

Z87主板上的供电模组规模明显小了很多

　　更少的供电模组就能够为第四代智能英特尔酷睿处理器带来同样、甚至更强大的供电效果，这就是22纳米3-D三栅极晶体管工艺带来的间接提升。使用过去的老式工艺，我们很难想象芯片能够空出这么大的空间来“放入”如此精密的供电模块，可以说英特尔在制程之路上已经获得了惊人的成效。

更完善的制程让工程师能够在核芯显卡上持续发力

　　同样不能忽略的还有第四代智能英特尔酷睿处理器的核芯显卡部分，本次发布的产品序列中我们看到了Core i7-4770R这款处理器，它的最大特点就是设计有一颗代号为Iris Pro（锐炬Pro）的核芯显卡，Iris Pro（锐炬Pro）核芯显卡的性能将比普通核芯显卡的性能更加强劲，这同样是更低的22纳米制程所带来的成果。