在本文的一开始我们曾经提到,CPU超频、主板超频、内存超频这三者之间又存在着不可分割的联系,通过分析CPU超频便足见主板超频能力的重要性,那么三者之中的另一个 核心部件内存又是如何呢?
正确使用内存也是超频过程中的一个重要组成部分,一次成功的超频和内存的品质及正确设定内存参数有着极为密切的关系。目前的内存还是使用类电容原理来存储数据,需要有充放电的过程,这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中,所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响,每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数,我们必须先了解其原理才能在以后的调节。
在内存参数中有四个最为重要的参数,我们所常见的内存参数书写格式为4-4-4-12或5-5-5-15,他们分别代表CAS-Trcd-Trp-Tras。
CAS Latency代表CL值,中文名称为列地址脉冲反应时间。这个参数是衡量相同频率的内存之间性能差异的重要标志。
Trcd,RAS到CAS的延时,这个参数对系统整体性能的影响并不明显,但是却和稳定性存在着很大的关系,此参数调节的过低或者调节不当会极大的影响超频后系统的稳定性。
Trp,行预充电时间。这个参数和上面所提到的Trcd参数相类似,其对系统稳定性的影响要远远大过对对系统性能的影响,不过这个参数比Trcd更易于优化,参数值可以比Trcd设置的更低些。
Tras,行地址脉冲反应时间。这个参数在四个参数中调节的范围是最大的,因此其对系统稳定性和系统性能的影响都是非常明显的,不过这也增加了对其调教的难度。
综上所述,CAS Latency决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。
对于超频来讲,除了CPU、主板、内存这“三大”主角之外,散热方式也会对超频起到直接的影响。
虽然温度对于CPU频率并没有直接的影响,但是CPU温度过高会造成系统的稳定性下降,同时也会缩短CPU本身的寿命,而对于要进行超频的处理器来说更是如此。运行在高频率之下的处理器其发热量是十分惊人的,而过高的温度也会限制处理器频率的提升,这也是为什么超频玩家回选择液氮、干冰、压缩机等极端制冷方式进行散热的原因。而对于想进行简单超频的普通玩家来说,一个好的风冷散热器也是必须的。除此之外,一台功率足够的电源也是必不可少的。