采用了低-K使羿龙II X4 940飞跃

　　面对Intel越来越先进的技术，AMD虽然慢了半拍但也仍然在加紧的追求更新的技术。羿龙II X4 940是AMD首款45纳米的桌面级处理器，当时AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发。这项技术包括了超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。正是这些技术大幅的提升了 羿龙II X4 940的性能。

 羿龙II X4 处理器超频记录（详细请点击）

　　得益于45nm优秀制程，全新的 羿龙II X4 处理器可以轻松的进行频率的调节，风冷4G、液氮6G已成为了铁一般的事实。而更高的频率显然是以晶体管的性能提升和更低的RC延迟为基础的。

　
左为65纳米右为45纳米

　　上图中浅蓝色为单个核心与其二级缓存，粉红色为共享三级缓存，65纳米的Agena集成了4.68亿个晶体管，核心(Die)面积大约285平方毫米，45纳米的Deneb的晶体管增加了62％，多达7.58亿个，但核心面积却减小了9.5％，只有258平方毫米。而实现这些都得益于新材料对新工艺的支撑。

羿龙™Ⅱ核心各部分均有所提升

　　同时羿龙II X4 940其将L2+L3的缓存容量升级到了8MB大小，仅仅是L3缓存的容量，较上代产品便有了3倍的提升。这些进展正是在新材料和新工艺的相互支撑下而取得成功的。

总结：

　　芯片中使用low-k电介质作为ILD，可以减少寄生电容容量，降低信号串扰，这样就允许互连线之间的距离更近，为提高芯片集成度扫清了障碍；其次，减小电介质k值，可以缩短信号传播延时，这样就为提高芯片速度留下了一定空间。low-k技术的发展前景是采用真空做ILD。

　　芯片中使用high-k电介质作为晶体管栅极的电介质用以增加栅极的电容同时增加厚度以减少漏电。前景是继续寻求更高的high-K材料。

　　High-k与low-k材料都是替代原来采用的二氧化硅材料。另外铜互连技术及金属栅极技术也提升了集成电路的性能。