45nm技术大不同之AMD沉浸式光刻

　　超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比。另外不得不提的便是沉浸式光刻技术，其是AMD在45nm的Phenom Ⅱ处理器生产中最新应用的技术之一，其区别于过去干式光刻最大的特点就是整个光刻的过程并不是发生在空气中，而是沉浸在一种光学折射率较大的透明液体中，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。

　　在AMD的45nm Phenom II的生产中，整个晶圆是浸泡在去离子水(无杂质，无带电离子)中的，这种情况相当于将光刻的分辨率提高了1.44倍，正好满足65/45=1.44的工艺改进幅度。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15％性能提升。

　　真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。可见，制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能，并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。

● Intel及AMD 制作工艺解析简表