性能提升的背后 45nm制程剖析

　　处理器虽然从外观及接口看起来都同上代产品别无二致，不过作为一款全新的产品，其自然是加入了更为优秀的技术，并对具体的核心参数做了进一步的提升。下面我们就来具体看一看Phenom Ⅱ X4 处理器的性能提升之处。

●　制程提升 性能飞跃

　　全新的Phenom Ⅱ X4 940处理器同上代产品最大的不同无疑在于其采用了全新的45nm制程制造。AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发。这项技术包括了超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。

　　超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式光刻技术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15％性能提升。

　　真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。可见，制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能，并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。（关于AMD 45nm技术更为详细的内容我们将在后续的文章当中加以报道）

　　得益于45nm优秀制程，全新的Phenom Ⅱ X4 处理器可以轻松的进行频率的调节，风冷4G、液氮6G已成为了铁一般的事实，这为诸多超频玩家及游戏玩家们提供了更好的使用条件。同时，更优秀的功耗控制能力也进一步的得以体现，我们将在后面的测试中为大家详细报道。