内存：DDR2天下太平 DDR3平稳过渡

内存：DDR2天下太平 DDR3平稳过渡

　　JEDEC标准的DDR2内存用了3年实现了在PC系统上全面普及，经历了110nm至目前主流90nm工艺共计4代核心的改进，更优的70nm核心DDR2 SDRAM芯片也开始量产，技术、产品和市场都进入了黄金时期。按照Intel、AMD的平台Roadmap，07年下半年将开始进行DDR2向DDR3的过渡，从现在双方的外置或内置内存控制器版本看，均为DDR2/DDR3混合支持，相信这个过渡将是缓慢而平稳的。

　　●  还是谈超频 DDR2官方产品突破1250MHz

　　虽然JEDEC标准包含的最高DDR2内存规格仅仅为DDR2-800，但更高运行能力的内存模组丝毫不乏用武之地，Intel 965/975 Express及NVIDIA 590/680系列芯片组都有着原高于其标称规格的内存运行能力。不甘寂寞的模组厂商在新年伊始即推出了DDR2-1250规格的超级产品。狂热的玩家们不会拒绝任何可以给他们的PC系统带来性能增强的部件，这正是各大内存模组厂商不断攀高DDR2内存速度规格的动力。

CORSAIR DDR2-1111内存模组 内外兼修的艺术品？

　　需要了解，没有任何一家DRAM芯片厂出品过高于DDR2-800规格的DDR2 SDRAM内存颗粒，所有的高档个性化产品都来自模组厂商的超频。模组厂商批量挑选采购来的芯片并按超频能力区分成不同档次模组出售的模式从DDR SDRAM时代开始出现，并在最近一年时间变得格外流行，一方面是用户确有对高性能产品的需求；另一方面是目前已经成熟的90nm工艺第四代核心DDR2在性能弹性表现方面非常好，拥有较为强劲的超频能力。由模组厂商官方超频并提供质保的形式已经被大多用户所接受，虽然这些超频产品价格不菲，模组厂商也从中获利颇丰，但对于不太计较价格的发烧玩家来说，省去了购买大量产品自己挑选的步骤，时间和精力在这里应该比金钱更宝贵些。

　　重量级DRAM制造商镁光（Micron）内存芯片无疑是目前DDR2 SDRAM产品中最令人激动的，从早期的制造工艺落后但超频性能强悍的“Fatboy”D9内存芯片开始，Micron芯片一直占据着DDR2 SDRAM超频的顶尖位置，包括这款ADATA DDR2-1066+内存模组在内的无数顶级超频品产品，都是基于Micron内存芯片制成的。“Fatboy”D9昵称的由来是其110纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V以上工作电压的“Fatboy”D9芯片内存模组有很多可以把内存时序调节到3-2-2（DDR2 SDRAM支持的最快时序）并且工作在DDR2-800以上的频率上，即使是4-3-2设定，这些怪物突破DDR2-1000频率也不是难事，要知道这是在04、05年生产的DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的DDR2 SDRAM内存芯片的超频能力根本无法望其项背。

Micron超强超频能力的小D9颗粒

　　在Micron把内存芯片制造工艺改进到90纳米之后较长一段时间，新工艺的芯片都无法达到“Fatboy”D9的超频能力，直到第四代核心版本的新芯片问世，Micron终于一次让玩家疯狂，编号为D9GCT、D9GMH、D9GKX的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9低时序能力和对电压敏感的前提下，把4-4-4时序下的频率上限提高到了DDR2-1200附近！而极限运行频率更达到约1400MHz！

　　按照这样的势头发展，大牌DRAM厂也许会像DDR末代时期一样推出高于JEDEC规格最高标准的芯片，像当时的hynix D5或SAMSUNG UCCC支持非标准的DDR500一样支持现在DDR2-1066甚至是DDR2-1200，毕竟现在高档产品的利润全部被模组厂商获得，当这个市场足够大时，DRAM制造商也会染指。70nm的制造工艺更有望让DDR2内存创造频率新高，相信随着时间的推移，我们能在07年内看到极限玩家冲破DDR2-1600。

　　●  DDR3产品不错 换代拉力不足

　　双通道DDR2-800及更高规格内存模组提供的内存带宽目前还未成为DIY PC系统的性能瓶颈，从三年前Intel引入DDR2开始这种状况就未曾改变过，因此DDR2的换代动力并不是很强劲，DDR3只是按技术研发的步伐缓慢的来到我们面前。有趣的是，近两年之前的规划里，DDR3的首个规格是DDR3-1066，这个数字已经被大量DDR2模组实现，DDR3的最低规格也不得不提升至DDR2-1333。

DDR3-1333 1GB内存模组

　　DDR3的频率上限超过2000MHz，和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，这次的预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。除了预读取位数翻番带来的突发长度改变，DDR3还在多处对DDR2的技术加以改进并应用：

　　寻址时序提升、增加CWD -- 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）。

　　点对点连接 --  这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

　　新增的重置功能 -- 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

　　高级的刷新控制 -- DDR3支持根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能，联合重置功能和1.5V的低操作电压，DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。

　　内存模组 -- DDR也将制成DIMM、SO-DIMM/Micro-DIMM、FB-DIMM2，其中第FB-DIMM2将采用规格更高的内存缓冲器。

　　不管怎么说，DDR3距离DIY市场还比较遥远，部分对功耗要求高的场合应该最先引入它们，而在DIY领域关注的性能、价格上，DDR3在其出现的半年内都不足以替代DDR2。