三星正在研究10nm工艺：终上极紫外光刻

    硅半导体工艺的极限在哪里？至少短期内，各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm，更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。

通过与ARM、Cadence、Synopsys等多方合作 14nm技术已经有了重大突破

    三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管)，去年底就已经取得重大突破，完成了测试样品、设计基础设施的准备工作，还有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等众多合作伙伴的支持。

    不过时至今日，三星也没有披露14nm具体会在什么时候量产，有消息称要到2015年初，Exynos 6就等它了。

10nm技术已经在研发计划中

    再往后，10nm技术也正在按计划研发之中，并会继续使用FinFET，还会初步尝试使用极紫外光刻(EUV)，和业内步调一致。

    此外，Intel、台积电、GlobalFoundries也都在积极推进10nm技术的研发，届时还有可能用上450毫米大晶圆。