配合—金属栅极晶体管+High-K

配合—金属栅极晶体管+High-K

　　● 金属栅极晶体管

　　虽然英特尔所采用的High-K新材料拥有不错的电子阻隔效果，但是却无法与现有闸极采用的多晶硅相兼容，因此英特尔又特别开发了一种新的金属 栅极材料来使用，由于目前金属材料的细节属于商业机密，使得我们并不能像知晓High-K所使用元素那样知晓金属栅极晶体管究竟使用什么元素制成，但有一点可以确定—英特尔采用不同金属材料组合而成。

　　当然，这种神秘的新材料肯定具有非常高的导电率。以解决现有材料因电阻较大，而造成较长延迟周期的问题。(注：如果材料电阻较大，根据RC延迟电路延迟周期T＝2πRC可以知道迟延周期较大。如果采用导电率较高的金属类材料栅电极，就能彻底解决栅极耗尽的问题。)

　　● 金属栅极晶体管+High-K

High-k栅介质与金属栅极晶体管的的共同作用

　　High-k栅介质与金属栅极晶体管的引入能够使得晶体管漏电率较之传统材料降低10倍以上，与65纳米制程工艺相比能够在相同耗能下提升20%的时钟频率亦或是在相同时钟频率下拥有更低的耗能。45纳米晶片每秒钟能够进行约三千亿次的开关动作，在以铜与low-k材料搭配组成的内部连接线的作用下，晶片开关速度能够提升20%且耗电量降低30%。

　　值得一提的是，除二氧化硅外，铅由于其具备相当的电气和机械特性，数十年来亦被广泛应用电气元件的制造中。不过虽然其创造价值无数，但对于生态环境以及人类健康的危害亦不容被忽视。

　　对现代处理器而言，铅主要存在于连接硅晶片与基板的内部连接点第一层内5%左右的焊锡中，而英特尔公司则以锡、银、铜的合金取代现有铅、锡为主的焊锡，并宣布45纳米High-k栅介质与金属栅极晶体管产品中全面采用100%无铅工艺制造，而2008年基于65纳米制程工艺制造的产品亦将加入到这一行列之中。值得一提的是，对于拥有复杂硅晶片连接结构的处理器技术而言，替换其连接材料绝非易事，英特尔公司为此耗费了大量的精力， 做法是值得称赞的。