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脱胎换骨 英特尔45纳米技术深度解析


分页浏览|全文浏览    【CNET中国·ZOL 原创】 作者:王胤韬 | 责编:王胤韬     评论

45纳米—摩尔定律延续40年

  ● 45纳米堪比越王勾践剑

  不久前在2008上海IDF上,英特尔公司全球副总裁、中国大区总经理杨叙在演讲中指出:“越王勾践剑采用了创新的特殊材料,历久而还是很新,而英特尔45纳米技术堪比越王勾践剑,将引领半导体产业再次走上创新之路。”

  纳米(nanometer)是十亿分之一米,约相当于45个原子串起来那么长。而纳米技术也就是在纳米尺度(0.1nm到100nm之间)的研究物质的相互作用和运动规律,以及在实际应用中利用这些规律的多学科的科学和技术。我们更加熟悉的是在处理器上的纳米技术,越来越小的纳米工艺数值从一个侧面推动了信息产业这几十年爆炸式的增长,纳米工艺的数字表示处理器内部晶体管之间连线宽度,45纳米技术则是CPU制造工艺的空前高度。


CPU焕新生 谈英特尔45纳米处理器技术
45纳米晶圆效果图

  ● 摩尔定律和Intel的X86历程

  集成电路才问世6年的 1965年,还是仙童公司工程师的摩尔对半导体产业做出预言—半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番,之后的1975年他做出修正改为每两年翻一番。而就在该理论提出的时候,摩尔所在的实验室也只能将50个晶体管集成在一个芯片上。

  历史飞速的驶过了40余年,半导体产业尤其是领军者英特尔已经用事实执行了“摩尔定律”,在实践中,这个周期被证实是18个月。这里我们不妨回忆一下英特尔在这些年中出品的X86系列CPU

  1971-1972
        10微米(10000纳米)工艺, Intel 4004、8008,2300-3500晶体管;

  1974
  6微米(6000纳米)工艺, Intel 8080,6000晶体管;

  1976-1982
  3微米(3000纳米)工艺, Intel 8085、8086、8088、80286,6500-134000晶体管;

  1985
  1.5微米(1500纳米)工艺, Intel 80386DX,275000晶体管;

  1989
  1微米(1000纳米)工艺, Intel 80486DX、120万万晶体管;

  1993
  500纳米工艺, Pentium,350万晶体管;

  1996-1998
  350纳米工艺, Pentium MMX、Pentium II,450万-750万晶体管;

  1998-1999
  250纳米工艺, Pentium II、Pentium III、Celeron,750万-950万晶体管;

  1998-1999
  250纳米工艺, Pentium II、Pentium III,750万-950万晶体管;

  2000
  180纳米工艺, Pentium III、Celeron,Pentium 4,950万-4200万晶体管;

  2001-2003
  130纳米工艺, Pentium III,Pentium 4,950万-5500万晶体管;

  2004
  90纳米工艺, Pentium 4,1亿晶体管;

  2006-2007
  65纳米工艺, Pentium EE、Pentium D、Core 2,2亿3000万-2亿9000万晶体管;

  2007至今
  45纳米工艺, Core 2,4亿1000万-8亿2千万。

  早前间的英特尔处理器研发过程基本顺畅:按部就班的提升工艺,晶体管数目也几何级数的迅速攀升,一直到65nm工艺时期截止。2006年的65nm工艺技术突破遭遇的困难非常大,经过几次改进后漏电流和功耗的情况有所改善,但这也几乎挖掘了CPU最后的潜力,绝缘层已经只有5个硅原子的厚度,已经不可能再薄了,英特尔用尽了所有的办法才使得65nm工艺基本达到了要求,硅材料制造CPU在65nm时走到了尽头,亟待新的突破。

 

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