秋季IDF:英特尔激光硅芯片技术带宽40G

　　2007年9月18-20日，2007年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum，简称IDF）将在旧金山的马士孔尼会议中心（Moscone Center West）举行，中关村在线受邀对本次会议进行现场报道，并亲身体验、了解英特尔带来的最新技术产品和平台信息。

Intel光电子技术实验室主任兼特别研究员Mario Paniccia

　　太平洋时间9月18日，英特尔光电子技术实验室主任兼特别研究员Mario Paniccia告诉与会者，Intel正在开发的硅锗基图像检测器能用于识别40 Gbits/秒的激光信号。同时Intel还声称它是世界上最好的硅锗图像检测器。

Intel激光硅芯片近照

　　对于光学通信和未来的光学互联来说，光子集成电路(PIC)是一种非常高效的解决方案，其中的一个关键部件就是高速的硅光学调节器，主要用途是在光束上编码数据。

Intel选择低成本硅作搭载平台,带宽却提升至40Gbps

　　目前的商用光学调节器每秒只能编码10Gb数据，而且需要铌酸锂、III-V化合物半导体等特殊材料，而Intel则选择了成本低廉、制造工艺成熟的硅作为搭载平台，速度却从2004年的1Gbps不断提升，如今终于达到了40Gbps的高度。

绿线内薄锗层吸收波长为1.3-1.6微米的光线

Intel研究人员增加的一层薄锗

　　在过去，纤维光学是一个昂贵而又专业化的解决问题的方法。这促使Intel开始研究硅光子学，包括用硅制造光纤元件，在可见光谱，硅是不透明的，在红外线波长才具备透明性，这意味硅可以做为光连接介质。不过硅不能吸收光，这是一个问题。为了转换红外线进入探测器，Intel的研究人员在外部增加了一层薄锗，原因是锗能吸收波长为1.3-1.6微米的光线。