明年出货 IBM用3D堆叠技术生产处理器

    通过在芯片内部堆叠更多的层级以实现更高的存储密度，这一做法在闪存和内存产业早已不是什么新鲜事了。不过有人也曾经讨论过这一技术运用在处理器生产中的可能性，但至今没有公司生产出成品。昨天IBM宣布，他们已经成功之作了基于这一概念的3D处理器，并准备于2008年正式出货。

    IBM制造的3D处理器采用了与原内存厂商英飞凌制作高密度服务器内存以及层叠式闪存相同的做法，即采用堆叠硅芯片技术。这以技术可以利用立体空间，节省芯片面积，并缩减数据传输的距离。采用该技术的好处在于大大地节省了平面空间，并且可以继续延续芯片产业的摩尔定律，尤其是后者对整个硬件产业的发展都具有重要的意义。

    为了连接这些芯片“三明治”，IBM使用了一种名为“TSV”的技术，它在堆叠的硅晶圆之间形成了垂直的连接通道，这些通道会由金属材料填充。其实英特尔早在2005年的春季IDF大会上就阐述了这种3D立体处理器的初步构想。

IBM的3D处理器预计明年出货

    “这一突破性的技术来源于IBM过去十年来的探索与开发工作。”IBM半导体研发中心副总裁Lisa Su表示，“我们将把3D立体处理器从实验室转移到工厂，并且会推广到不同的应用领域。”IBM认为这一技术可以应用在处理器上的处理器（processor-on-processor）或处理器上的内存（memory-on-processor）式芯片设计。IBM宣布他们已经制造出可以二次设计的、采用300mm晶圆制造的堆叠式3D SRAM芯片，很快就会把这一技术用来生产其下一代PowerPC 440处理器上。该处理器会用于蓝色基因/L型超级计算机上。首批3D堆叠式处理器样品将于2007年下半年送交到客户手中，而实现量产则要等要2008年。