◇ 22纳米晶体管：IVB工艺领先

    22纳米晶体管拥有更小的单位面积，这提升了单位面积下晶体管的数量。英特尔采用32纳米采用第二代高K栅极工艺设计的Sandy Bridge，相比第一代45纳米来说缩小近 25% 的空间。今天笔者通过计算可以看到22纳米相对32纳米工艺缩小 45% 的空间。

22纳米Intel芯片图

　　其实即使是最为浅显地单纯从面积来看22纳米和32纳米之间的对比，我们也同样能发现22纳米的优势——在同样的芯片面积中22纳米工艺设计的电路会比32纳米更加复杂，而同样的，如果两者之间采用同样的电路设计，那么22纳米工艺无疑会比32纳米的体积更小，同时由于工艺的原因，22纳米带来的电能消耗也会更低——因为22纳米的漏电现象会比32纳米改良很多。

三栅极晶体管发展

　　除了上述处理器生产制程工艺发生变化外，Intel还在研发新工艺制程和新晶体管架构，Intel发现了2-D的瓶颈，于是决定多管齐下全方向减小栅极的漏电、降低处理器功耗，提高处理器性能。

3-D晶体管结构图

    当时情景是这样的：科学家研发出来3-D结构时非常兴奋，这让摩尔定律可以继续延续。相对于2-D平面栅极结构晶体管来说，三栅极晶体管是根据栅极具有三面而命名的。平面栅极变成了立体栅极，其意义与CPU的单核心迈向双核心有过之而无不及。当然目前我们可以理解为3-D晶体管就是芯片通道的立交桥，其作用就是使得芯片进行数据（0/1）“传输”更加高效。