马宏升在现场展示了模型，这是一个放大了无数倍的晶体管，如果晶体管的体积有这么大，那么现在一个普通CPU的大小就会超过整个地球体积。除了这些技术突破之外，为了解决极其精细的工艺下，晶体管的漏电问题，英特尔推出了三栅极技术，这是晶体管制造工艺历史上革命性的一步。

这个比例可见22纳米的微小

　　在一个晶体管中，栅极起到的作用是控制电流，当栅极电压为0，晶体管就关闭了，如果有电压，就有会电子通过，晶体管就呈现出打开状态。晶体管就像水龙头，在理想的状态下，我们希望实现，关闭时候，能够控制漏电状态，没有任何电子通过，打开时候又有很强的电流。然而，随着晶体管的体积不断缩小，在极低尺寸的晶体管上，如果采用传统的工艺，很难对漏电进行控制，也就是说，即便是栅极电压为零，仍然会有电子穿越栅极通过，其导致的后果显而易见，晶体管将无法正确置于关闭状态，其功能也将失效。

3D-三栅极晶体管

　　现在我们再来看看三栅极晶体管，和二维的设计不同，三维的结构可以显著的改善晶体管开和关的状态，与此同时，其表面积更大，在开放状态下，也能够产生更大的电流，晶体管的关与开，区分更加明显，晶体管的功能也能够实现正常化。

IDF2012大会

　　新的技术再次验证了摩尔定律，并且能够很明显的改善用户的体验，这样的芯片可以适用在包括了超极本和服务器上，这种晶体管也非常适用在平板电脑和智能手机上，马宏升表示，这是英特尔核心技术的创新体现。