IDF:科技新生活 英特尔与中国开创未来

前言：2012年4月11日，英特尔于北京国家会议中心召开“2012年英特尔信息技术峰会”，简称IDF2012。英特尔自2007年开始已经第六年在中国召开IDF大会，本届IDF大会的主题是“未来在我‘芯’”，重点在于前瞻IT行业的发展与科技体验的变革、共迎个性化计算时代的到来。

　　大会的基调将是科技类主题，届时将在IDF2012的会场中了解到关于移动平台、超极本、桌面级处理器、企业平台、科技应用等等前沿技术展示及相应技术课程，精彩尽在IDF2012中关村在线全程直击专题报道。

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  　IDF 2012主题演讲中，英特尔全球执行副总裁，英特尔中国区董事长马宏升以摩尔定律、“Tick-Tock”（Intel的芯片发展规律）引出Intel 22纳米工艺技术。当今Intel是唯一一家研发出22纳米工艺以及3D三栅级晶体管的芯片厂商。英特尔仍然在持续的创新和努力，继续推动这个定律的不断前行。

英特尔中国区董事长马宏升

　　在四十多年以来，Intel科技研发一直保持着高速发展。如今，Intel在同行业中率先研发出3D晶体管——“三栅极”工艺，这说明Intel又一次突破自己创造奇迹，为了不断的前进和发展。

22纳米3D晶体管

　　在2007年，英特尔推出了高K金属栅工艺，领先行业3年。去年，英特尔又实现突破，全球率先推出22nm工艺制程。22nm是一个什么样的概念，显然，它用肉眼是看不见的，如果我们有差不多一亿个22nm工艺的晶体管，那么其体积大小大约能装在一个针头上！

　　马宏升在现场展示了模型，这是一个放大了无数倍的晶体管，如果晶体管的体积有这么大，那么现在一个普通CPU的大小就会超过整个地球体积。除了这些技术突破之外，为了解决极其精细的工艺下，晶体管的漏电问题，英特尔推出了三栅极技术，这是晶体管制造工艺历史上革命性的一步。

这个比例可见22纳米的微小

　　在一个晶体管中，栅极起到的作用是控制电流，当栅极电压为0，晶体管就关闭了，如果有电压，就有会电子通过，晶体管就呈现出打开状态。晶体管就像水龙头，在理想的状态下，我们希望实现，关闭时候，能够控制漏电状态，没有任何电子通过，打开时候又有很强的电流。然而，随着晶体管的体积不断缩小，在极低尺寸的晶体管上，如果采用传统的工艺，很难对漏电进行控制，也就是说，即便是栅极电压为零，仍然会有电子穿越栅极通过，其导致的后果显而易见，晶体管将无法正确置于关闭状态，其功能也将失效。

3D-三栅极晶体管

　　现在我们再来看看三栅极晶体管，和二维的设计不同，三维的结构可以显著的改善晶体管开和关的状态，与此同时，其表面积更大，在开放状态下，也能够产生更大的电流，晶体管的关与开，区分更加明显，晶体管的功能也能够实现正常化。

IDF2012大会

　　新的技术再次验证了摩尔定律，并且能够很明显的改善用户的体验，这样的芯片可以适用在包括了超极本和服务器上，这种晶体管也非常适用在平板电脑和智能手机上，马宏升表示，这是英特尔核心技术的创新体现。