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Thuban六核成本控制更好

CPU巅峰大战再起 Intel/AMD六核谁更强

CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 郑成龙 责任编辑:刘搏 【原创】 2010年03月18日 06:39 评论

  接下来我们谈一谈AMD六核处理器的技术特点

  AMD即将于4月发布的五款六核处理器代号为“Thuban”,目前他们的型号已经确定,但主频等参数还没有确定下来,他们当中的最高端型号为Phenom II X6 1075T,从大致的参数来看“Thuban”与其前一代四核Phenom II X4 900系列处理器在架构上并太大变化,三级缓存依然为6MB,因此可以确定其就是K10架构的更多核心版本产品,并且将继续使用45nm工艺制造。


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AMD六核“Thuban”核心示意图

  相比Intel复杂而昂贵的32nm工艺技术,AMD所采用的45nm技术则相对的简单,且有很好的成本控制。这也许是AMD处理器价格较为低廉的原因所在。目前AMD产品线广泛使用的生产工艺为超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。

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AMD应用的沉浸式光刻技术图解

  在AMD的45nm工艺处理器的生产中,整个晶圆是浸泡在去离子水(无杂质,无带电离子)中的,这种情况相当于将光刻的分辨率提高了1.44倍,正好满足65/45=1.44的工艺改进幅度。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15%性能提升。

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AMD四核Phenom II X4 900系列核心照片

  真正解决AMD在45nm技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ,AMD和IBM称,与非应变技术相比,这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80%,将N沟道晶体管的驱动电流提高24%。可见,制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能,并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。

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AMD羿龙II家族产品技术特性

●  AMD 45nm 制造工艺及技术特点

  >> 超低K电介质互联技术
    
多重增强晶体管应变技术
    沉浸式光刻技术 

  >>  SRAM芯片约15%性能提升
    P沟道晶体管驱动电流提高80%
    N沟道晶体管的驱动电流提高24%

  对于AMD为什么到现在都没有使用High-K,很多朋友们都存在疑问,其实这得益于AMD自Athlon时代就开始使用的SOI工艺。SOI是Silicon On Isolator的缩写,即绝缘体上的硅技术。和传统的纯硅晶圆不同,SOI工艺使用的晶圆底部是一层绝缘层。这层绝缘体切断了上方MOS管漏电流的回路,使得基于SOI技术的芯片能够轻松抵抗漏电流。

  超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗,从而明显提升性能功耗比。另外不得不提的便是沉浸式光刻技术,其是AMD在45nm的Phenom Ⅱ处理器生产中最新应用的技术之一,其区别于过去干式光刻最大的特点就是整个光刻的过程并不是发生在空气中,而是沉浸在一种光学折射率较大的透明液体中,从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。

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现用主板用户可直接升级使用六核“Thuban”处理器

  在应用技术方面,AMD并没有加入类似Intel睿频加速和超线程这样的技术,但是兼容性方面AMD要比Intel做的更为出色一些。其最典型的特点就是六核“Thuban”处理器采用了与当前Phenom II X4 900系列一样AM3接口,让平台做到了无缝升级。

  受AMD官方消息保密限制,我们目前能够得到的AMD处理器产品信息非常少,以至于很多新的应用技术我们无法获知。但从已知的消息方面来看,AMD六核处理器在新工艺与应用技术方面都要逊色Intel酷睿i7 980X一筹。当然,这一切都仅限于我们目前所能得到的消息来评比的。

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