硅芯片接近极限 新工艺有望达5纳米

    韩国一个科学家小组最近表示，他们开发出了一种新技术，为替代目前以硅为基础的半导体产品开辟了道路。  

    据法新社报道，该小组已表示成功制造出了所谓的“Mott Insulator”(莫特绝缘体)，小组由电子与通信研究院(ETRI)的Kim Hyun-Tak牵头。新材料是以获得1977年诺贝尔物理奖的英国科学家Nevill Mott的名字命名的，尽管Mott insulators也属于金属，但它不能导电。然而，在高电压状态下，Mott insulators在相对较低的67摄氏度(华氏152.6度)下具有导电性能。  

    ETRI院长Lim Joo-Hwan表示，“硅物质导电发热的物理性质使得芯片上无法建立超薄集成电路，然而Mott metals却不会发热。”  

    Kim Hyun-Tak表示，“20世纪在电子界风靡一时的半导体最终将给Mott insulators让路”。  

    他表示，Mott insulators材料可开创一下每年达1000亿美元销售额的全球市场，包括显示器与大量新设备都可放弃硅半导体而选择Mott insulators。  

    他表示，使用Mott金属绝缘体之后，芯片的工艺可能达到5纳米制程，而目前的半导体芯片的制程理论可达到40纳米，但当前市场上最领先的产品也使用90纳米制造工艺。三星电子公司去年展示了全球最为先进的闪存芯片技术，该芯片采用的是60纳米工艺。

    专家们提示，60纳米很可能代表了硅元素半导体芯片的工艺极限。