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速度惊人!IBM第4代新制程芯片问世


作者:醉龙殇 责任编辑:王刚 【投稿】 2005年08月15日 07:30 评论

  据报导,IBM微电子(IBM Microelectronics)日前推出其第四代矽锗(silicon-germanium)制程产品,在进入0.13微米制程技术之后,不仅使得晶片尺寸减少为原来的一半,产品效能更是得到了加倍提升。IBM锁定手机与车用电子雷达等市场,已经成为矽锗制程产品的先锋部队。

  IBM指出,第四代矽锗制程产品脉冲速度可高达惊人的200 Gigahertz,此外,在较低的运算脉冲速度下,晶片产品的耗能仅为第三代产品的一半,大大增加了手机电池的寿命,IBM此项制程产品较目前广泛应用在手机晶片上的砷化镓(gallium arsenide)制程产品,不仅在效能上表现更优,成本亦可望大为减少。

  IBM系统及科技事业群首席工程师Bernie Myerson指出,新推出的矽锗晶片可同时带动崭新系统产品的发展,由于矽锗晶片具备可同时处理数位运算与类比射频等功能,因此锁定在通讯领域市场将是其应用的首选。

  此外,矽锗制程产品也可在一般晶圆厂房打造,无须引进特殊制程设备,因此在成本的投入上,较砷化镓制程产品更具有竞争力。

  据报导,在微缩产品和节简成本等因素的考量下,半导体产业寻找新兴材料与新兴制程技术的脚步从未停歇过,市调机构Information Network报告显示,预估2005年矽锗制程市场可望成长40%,达到16亿美元规模,而砷化镓市场增幅仅有6%,达到34亿美元规模。

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