大胆预测，应变硅给Intel施加压力

未来预测

    应变硅仍然是一项新兴的技术，它还需要诸多的改进才能真正走向成熟。intel目前正在尝试的技术 则与此项技术的基本原理刚好相反，它们正在不断压缩核心结构中硅片所占的面积，这种做法将会增大芯片内部的电阻，这就会进一步增大漏电流。而AMD也会跟进，但是它的设计会更加强调SOI技术大量应用的效果（低漏电流，低发热量，低能耗） 。

    而提高处理器主频的另一种可能性就是单一同位素硅原料达到大规模商用的程度。虽然应变硅与普通硅原料之间在原子结构上有着诸多相似之处，但是实际上普通硅原有的全部效能会因为锗元素的添加而受到影响。例如硅锗层的存在会导致普通硅衬底层的导热性有所下降，但是尽管如此，硅锗在理论上仍然能够为整体性能带来10％的提升幅度（如果使用单一同位素硅28原料层代替硅锗层，一些学者认为可以达到60％的性能提升）。而如果单一同位素硅技术得以实地使用，那么其给芯片性能所带来的提升将是显而易见的。

    在AMD的产品设计理念中，一款Athlon产品在其从上市到停产的“一生”当中，一般都要经历五次重大的修改设计，我们姑且称其为“再设计”。而此次的Athlon 64 架构也肯定会面临同样的情况。目前已经出现了原始版本的Clawhammer核心（Sledghammer, Newcastle等等），但是它们都还没有经历过这种“再设计”。而据估计，它们经历的第一次“再设计”就会是双核心改造。有理由相信届时“再设计”不仅将带来功效的提升，而一些芯片特性和工作频率也会有所提高。

结语

    目前AMD已经制定了一系列的应变硅技术应用规划，比较有意思的是，与竞争对手们的大肆宣传炒作相比，AMD似乎是闷下头来自己悄悄干的。这项技术的引入对于AMD来说是向前迈进了相当明显的一大步，不论是90纳米产品还是130纳米产品都因此而与过去相比在性能上有了明显的提高。其中130纳米的产品线是目前的受益者，由于可以开发更快速度的cpu产品，至少在年内，这一级别上的AMD产品在性能表现上可以对intel的产品保持一定的优势。

    与任何一家能够在芯片制造领域呼风唤雨的厂商一样，AMD也拥有当今最优秀的工程技术开发人员，而他们也将不断改进AMD的处理器产品。尽管AMD在开发人员数量和开发设备上都不及intel，但多年来它也一直站在中央处理器产品开发的前沿领域。由于目前一代Athlon 64产品有着良好而稳定的市场表现，AMD不必像intel那样急于进入下一代处理器的开发过程，他们可以有时间通过对产品进行小的改动来完善它，同时这也可以大幅度减少新产品的开发费用，大大降低产品综合成本。当然，有一点他们别无选择，那就是底层产品市场几十亿计的市场份额是无论如何也绝对不能丢掉的，为此，AMD无论做什么都是应该的。

    通过这篇文章您可以看到，AMD通过引入应变硅技术，在移动产品，桌面产品，工作站甚至服务器cpu市场上继续给intel施加着压力。而如果AMD敢于把应变硅技术引入当前的Athlon XP系列产品（Barton和T-bred B）的话，那么无疑它将会用更低的能耗和发热量以及更快的主频全面冲击低端产品市场，而且必定效果显著。

    intel与AMD两家相争已久，它们彼此为了击败对方都使出了浑身解数，如果此次AMD的90纳米产品大获成功，那么intel决不会善罢甘休，它必将开发更新的技术来应对，当然，商家竞争的最终受益者必定是消费者，让我们拭目以待吧。