分析师为INTEL 65纳米新技术贺倒采

　　据报导，处理器龙头英特尔（Intel）表示，已开发出一项最新制程技术，可以让芯片漏电问题大大减少。英特尔（Intel）决定将在其65纳米制程产品中率先导入此项最新技术，采用新制程技术后芯片漏电程度仅为原先的千分之一，预定2007年初导入商业化生产。

　　芯片漏电问题在手机等便携式产品中显得特别突出，若不尽早解决，不仅将严重拖垮半导体电路微细化的进程，也将无法达到进一步缩减成本、提高效能而带动电子产业市场成长的目标。此外，漏电问题还会影响电池消耗，对于笔记型电脑与手机等电池寿命影响重大。

　　尽管英特尔（Intel）表示，已证实此项技术确实可行，并开发出工程芯片，预定在2007年初导入商业化生产。不过市场调研机构In-Stat分析师Jim McGregor则对前景表示并不乐观，他声称包括德州仪器（TI）与飞思卡尔（Freescale Semiconductor）等其他半导体公司，对于手持式产品应用的芯片技术，早已积累了多年的经验且早已熟悉英特尔在技术上的一些革新计划，提早开发出相关技术是完全有可能的。

 　芯片漏电问题已是当前先进制程科技的重大制约因素，英特尔（Intel）在导入90纳米制程技术并量产的过程中，就曾遇到过棘手的问题，英特尔（Intel）计划在2005年底前推出其65纳米制程芯片产品，加速进入半导体微细化的下一阶段。

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