8位专家展望EUV光刻技术（一）

    ● 8位专家展望EUV光刻技术（一）

    在文章的最后，我们引用Global Sources电子工程专辑于2010年05月07日对业界光刻专家和该领域的一些高层人员以“光刻技术路在何方”为主题的一次访谈。这次访谈的作者为来自电子工程专辑马立得先生。

    光刻技术正处在十字路口并可能是在向错误的方向发展。

    光刻是支撑摩尔定律所阐明的IC工艺不断缩微的关键生产技术。当前的技术仍然可行，而且其寿命已远远超出了所有人的预期，所以将在不久的将来失去动力。其后继技术的研究在几十年前就已经开始。

    然而，今天，在四个主要的下一代光刻(NGL)候选技术中，有三个技术，即超紫外线(EUV)、多波束无掩膜和纳米压印，落后于时间表。

业界之前所预测的光刻技术发展路线图

    特别是EUV技术，消耗了大量的研发时间和财富，但仍没有取得多少成果，这促使一些人士呼吁把开发努力重新定向。纳米压印，就其本身而言，存在套刻精度和吞吐量问题，而多波束技术仍然在研发中。第四个下一代候选技术--定向自组装，是一种很有前途的研究课题，但尚未开始研发。

    英特尔早在1997年就领导成立了EUV LLC企业联盟，计划在2005年把EUV光刻技术商业化的，加盟公司包括AMD、IBM、英飞凌和Micron。

    按照原定计划，EUV现在应该取代传统的光学光刻技术。然而事实上，光学光刻目前在半导体领域仍然举足轻重。至于EUV技术何时能投入生产，有人估计在2012年初，也有人估计在2015年或2016年，甚至有人认为这个时间可能永远不会到来。

    也有一些公司在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。另外一些公司则希望把今天的光学光刻技术一直延续下去。

    对于这个产业来说，将赌注押在EUV上错了么？如果真是这样的话，到底应该研究哪种技术呢？从长远来看，谁将最终受益？

    1、Yan Borodovsky
        ——英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监

Yan Borodovsky

    虽然之前一直都在推动EUV技术，但是英特尔目前正在考虑一种混合匹配的光刻战略。

    “针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的最佳解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。”

    “我认为，对于大批量制造而言，将EUV作为补充技术存在很多挑战，多波束电子束同样如此。NAND闪存厂商有更大的可能去引入某种新技术，就像我们之前试图引入EUV那样。实际上，逻辑芯片在布局、设计规则和限制方面有更大的自由度。因而我们可以理解，为什么三星将更加积极地部署EUV。他们别无选择，只能寄希望于波长更短、数值孔径（NA）更高和K1为0.25的技术。”

    2、G. Dan Hutcheson
        ——市场研究公司VLSI Technology CEO

G. Dan Hutcheson

    “我认为该行业找到了正确方向。这个十年比上个十年好了太多。我记得在上世纪90年代，所有研究都在遵循下一代光刻的路线图，没有人搞别的东西。”

    “而我们从事的是每年花费大量研发经费的不断发展的业务。要确保在将来的节点仍遵循摩尔定律，需要有两到三个可替代现有技术的方案。作为最后的手段，电子束技术总能保证写入的几何精密性，但缺点是它违反了摩尔定律。压印是一项非常有趣的技术，这项技术有待开发。EUV也是如此。”

    “我们可利用现有的技术，即双重成型。如果我是芯片制造商，我会把大量资金投在双重成型技术上，因为现在我的光刻工具的产能基本上下降了一半。也就是说，每片晶圆的成本增加了一倍。因此我会需要双倍的工具，这对设备行业来说是个好消息。”