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有啥绝招能这么强 解析酷睿i3的三板斧


CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 郑成龙 责任编辑:刘搏 【原创】 2009年12月22日 06:59 评论

写在前边:距离32nm酷睿i3处理器的发布还有最后的18天,关于酷睿i3处理器的详细细节由于受到NDA的限制我们还无法得到关于他的详细信息。但通过各大IT媒体所释放的消息来看,酷睿i3处理器虽然是一款双核产品,但是其提供的强大性能和超线程技术已经让其具备了挑战四核处理器的能力。是什么新技术让酷睿i3有了如此强大的能力。今天我们就来分析一下酷睿i3处理器的三板斧。

  我们先来说一下这酷睿i3的第一板斧。这第一板斧不仅是酷睿i3处理器的绝招,同时也是今后两年内处理器发展的趋势之一。至于32nm能够给我们带来什么样的好处,那请您继续往下看。

  ● 32nm制程工艺

  制造工艺是芯片制造领先程度的参照标准之一,在更高的制造工艺下,在相同的单位面积下可以容纳下更多的晶体管,而晶体管数量的增多直接体现在了性能的提升方面。同时由于单位体积的减小,以及新材料的大量应用。更为先进的工艺制程下制造的芯片产品耗电量以及发电量也会得到很好的控制,这也是为什么新一代工艺制程的产品会比前一代产品在功耗上有很好表现的原因之一。


解析酷睿i3的三板斧
IntelCEO欧德宁展示32nm晶圆

   Intel 32nm 制造工艺的技术优势

  和现有的45nm工艺相比,32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化:

  >>32nm工艺使用第二代高-K金属栅级
       0.9nm等价氧化物厚度高-K(45nm技术是1nm)

       金属栅级工艺流程更新
 
      30nm栅极长度
       第四代应变硅

  >>有史以来最紧密的栅极间距
       第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距

  >>有史以来最高的驱动电流
  >>晶体管
性能提升22%
  >>同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%

解析酷睿i3的三板斧
32nm可大幅改善漏电率

  相对于45nm工艺,NMOS晶体管的漏电量减少5倍多,PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进,电路的尺寸和性能均可得到显著优化。

解析酷睿i3的三板斧
32nm处理器核心部分 左侧Die为GPU(图片源自驱动之家

  上图为Intel在本月17日对外公布的32nm工艺处理核心部分照片。从该照片上可以看到,这颗处理器拥有2个Die,其中面积大的Die为45nm工艺GPU部分,右侧面积较小的部分为32nm工艺CPU部分。通过对比可以看到,CPU部分晶体管数量更多,但是其核心面积更小。这是最为直观的可以看出32nm先进性对比。

酷睿i3处理器第一板斧:32nm工艺
招术实用性:★★★★★
杀伤力:★★★★

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