45nm处理器已成首选
随着Intel 酷睿2处理器在市场中的成熟及对手Phenom II在近期的上市,曾经令人魂牵梦萦的45nm工艺制程已经进一步的深入人心。产品的快速普及使得消费者在攒机或是升级之时,选择一颗采用了45nm工艺制程的产品成为了主流之选。
制程的每一次转换都为消费者带来了更优秀的体验
不过从双核到四核、从Intel到AMD,不同定位、型号各异的产品令人眼花缭乱,如何才能在这众多的45nm产品中挑选到一颗称心如意的CPU,成为了众多玩家一致的困惑,下面我们就从技术角度入手,来看看45nm高性价比处理器该如何选?
买处理器当然首选45nm
说45nm之所以能够给用户们带来更高的性价比选择,无疑是因为其更优秀的制程带来了更具性价比的切割方案,成本的降低促使产品在价格上更具优势。目前,Intel及AMD都有着采用45nm的产品,然而同为45nm,它们的生产工艺却截然不同,让我们先分别了解一下
● Intel —— 突破式的45nm (关键字:High-k + Metal Gate介质引入)
2007年,Intel正式发布了四核心Core 2 Extreme QX9650处理器,由此引领行业抢先来到了45nm的新世界。Intel的45nm采用了突破式的新材料,为晶体管发展四十年来之最大进步。
在过往四十余年的时间中,业内均普遍采用二氧化硅做为制造晶体管栅介质的材料。而在65纳米制程工艺下,Intel公司已经将晶体管二氧化硅栅介质的厚度压缩至1.2纳米,基本上达到了这种传统材料的极限。此时不但使得晶体管在效能增益以及制程提升等方面遭遇瓶颈,过薄的晶体管二氧化硅栅介质亦使得其阻隔上层栅极电流泄漏的能力逐渐降低,漏电率大幅攀升。
45纳米新型High-k + Metal Gate介质与传统材料之比较
为了使上述情况得到解决,Intel公司于45纳米Penryn家族处理器中首度引入High-k技术。此种以hafnium铬元素为基础物质的新型材料不但拥有良好的绝缘性,且比传统二氧化硅栅介质更为厚实,能够进一步控制晶体管的漏电率。当然,由于High-k晶体管栅介质与现有晶体管栅极并不兼容,因此Intel公司亦同时拿出新型晶体管栅极材料,使得晶体管内部源极到漏极之间的驱动电流增加20%以上,不仅能够有效提升晶体管效能,亦能够使得晶体管内部源极到漏极之间的漏电率降低5倍左右。
Intel公司45纳米High-k + Metal Gate介质示意图
High-k栅介质与Metal Gate栅极的引入能够使得晶体管漏电率较之传统材料降低10倍以上,与65nm制程工艺相比能够在相同耗能下提升20%的时钟频率亦或是在相同时钟频率下拥有更低的耗能。45纳米晶片每秒钟能够进行约三千亿次的开关动作,在以铜与low-k材料搭配组成的内部连接线的作用下,晶片开关速度能够提升20%且耗电量降低30%。
值得一提的是,在于用于连接硅晶片与基板的内部连接点第一层内5%左右的焊锡中,Intel公司以锡、银、铜的合金取代现有铅、锡为主的焊锡,并宣布于45纳米High-k + Metal Gate产品中全面采用100%无铅工艺制造,对于拥有复杂硅晶片连接结构的处理器技术而言,替换其连接材料绝非易事,Intel公司为此耗费了大量的精力,但其意义无疑是相当深远的
● AMD —— 沉浸式光刻技术
相对于Intel复杂的用料及工艺流程来说,AMD所采用的45nm技术则相对的简单,AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发。这项技术包括了超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。
AMD全新45nm技术
超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗,从而明显提升性能功耗比;而沉浸式光刻技术,实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射,从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15%性能提升。
真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ,AMD和IBM称,与非应变技术相比,这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80%,将N沟道晶体管的驱动电流提高24%。可见,制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能,并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。
● Intel及AMD 制作工艺解析简表
45nm制作工艺解析简表 | ||
Intel | AMD | |
应用技术 | High-k技术
hafnium铬元素材料 Metal Gate栅极 锡、银、铜合金焊接(100%无铅) |
超低K电介质互联技术
多重增强晶体管应变技术 沉浸式光刻技术 |
性能变化 | 漏电率降低10倍
开关速度能够提升20% 耗电量降低30% 驱动电流增加20% |
SRAM芯片约15%性能提升
P沟道晶体管驱动电流提高80% N沟道晶体管的驱动电流提高24% |
可以看出,Intel与AMD在45nm的制作工艺上各有千秋,均能够很好的满足降低功耗及成本的目的,同时也带来了更明显的性能提升。当然,Intel所采用的全新材料有着更为明显的突破,使其在行业内有着领先的一面,也更加坚定了其行业领袖的地位
大众玩家至上45nm之选
当然,对于所有的消费者们来说,产品所采用的45nm制作工艺是如何流程其实并不关心,而是否能够选择到高性价比产品才是最为重要。在产品的选择性上,目前两家都有不同定位的产品上市。不过Intel由于Tick-tock战略的延续,在2007年便开始了45nm的普及,而且Intel的晶圆厂也早已大量投产保证了稳定的货源。
Intel公司先后将有三座Fab晶圆厂投产45纳米以保证其供货充足
反观AMD,在45nm的产品策略上的确起步较晚,目前少量的中高端产品上市亦不能充分满足消费者们的需求,因此大量普及还尚需时日。故而,消费者在选择Intel的产品时的确有着很大的优势。下面,笔者变为消费者推荐几款酷睿产品,供用户们攒机升级时作为参考:
● 体验45nm技术快感 E7400仅需820元
虽说Intel的入门级产品是奔腾系列,而且奔腾系列也有45nm产品,不过对于追求新鲜感的用户而言,45nm的酷睿2双核E7400才是更佳之选,不仅其在指令集方面更佳完整,而且优秀的性价比也提供了不错的选择。
Intel 酷睿2双核 E7400
酷睿2双核E7400保留了E7000系列的全部特征,采用45nm工艺制程,内建3MB高速二级缓存,前端总线频率1066MHz,外频为266MHz。不过由于主频被提升到了2.8GHz,所以该处理器的倍频也被提升到了10.5,因此其超频性能也更高。
Intel 酷睿2双核 E7400 (盒) | |
适用类型 | 台式CPU |
CPU系列 | CORE 2 DUO |
CPU内核 | Wofldale |
核心数量 | 双核心 |
工作功率(W) | 65W |
制作工艺(纳米) | 45 纳米 |
主频(MHz) | 2830MHz |
总线频率(MHz) | 1066MHz |
倍频(倍) | 10.5 |
外频 | 266MHz |
插槽类型 | LGA 775 |
针脚数 | 775pin |
L2缓存(KB) | 3MB |
HyperTransport | 不支持 |
编辑点评:E7400处理器是众多入门级超频爱好者的不错选择,优秀的性能也使得其更佳适合组建入门级的游戏平台,避免瓶颈从而获得更为优秀的性能体验。
Intel 酷睿2双核 E7400 (盒)
[参考价格] 820元
[销售柜台] 海龙5118
[联系电话] 010-82663094
超频玩家至上45nm之选
● 体验45nm超频快感 E8400最低1180元
E8400处理器因超强的超频能力备受消费者瞩目,即使在不超频的情况下,3GHz的高主频与6MB的超大二级缓存容量也为系统带来了足够强劲的性能。
Intel 酷睿2双核 E8400 包装
酷睿2双核E8400处理器采用45nm工艺制造,主频高达3GHz,外频333MHz,倍频为9,具备6MB二级缓存和1333MHz前端总线,不仅性能非常强悍,在超频方面更是无人能敌。
酷睿2双核E8400处理器
Intel 酷睿2双核 E8400 (盒) | |
适用类型 | 台式CPU |
CPU系列 | CORE 2 DUO |
CPU内核 | Wolfdale |
核心数量 | 双核心 |
制作工艺(纳米) | 45 纳米 |
主频(MHz) | 3000MHz |
总线频率(MHz) | 1333MHz |
倍频(倍) | 9 |
外频 | 333MHz |
插槽类型 | LGA 775 |
针脚数 | 775pin |
L2缓存(KB) | 6MB |
HyperTransport | 不支持 |
编辑点评:E8400拥有超大的6M二级缓存,为其带来了足够强劲的性能。同时E8400拥有的9x倍频为用户在超频时提供了极大的便利与快感,即使很少的外频提升幅度也能带来极大的性能提升快感,值得超频玩家们拥有。
Intel 酷睿2双核 E8400 (盒)
[参考价格] 1180元
[联系地址] 鼎好3227# 海龙5118#
[联系电话] 010-82696964 010-82663094
多线程达人至上45nm之选
● 体验45nm多线程快感 Q8200千元太划算
对于不少多线程达人们来说,更多的CPU核心无疑能够为他们提供更加优秀的性能体验。而且随着新一代操作系统Windows 7的即将到来,虚拟化应用也将迅速的普及,因此入门的四核产品成为了相当超值的选择,目前Q8200处理器仅仅千元多的价格极为划算,值得关注。
酷睿四核Q8200处理器
酷睿Q8200处理器采用45nm制程工艺,主频稍低为2.33GHz,外频333MHz倍频为7,前端总线频率高达1333MHz。由于定位为普及型四核处理器,所以二级缓存减少为2×2M。由于拥有出色的超频能力,所以可以利用超频的办法提升Q8200的主频来从而达到提高性能的办法。
酷睿四核Q8200处理器背面
Intel 酷睿2四核 Q8200(散) | |
适用类型 | 台式CPU |
CPU系列 | CORE 2 QUAD |
核心数量 | 四核心 |
主频(MHz) | 2330MHz |
总线频率(MHz) | 1333MHz |
插槽类型 | LGA 775 |
针脚数 | 775pin |
L2缓存(KB) | 4MB |
其他特点 | 不支持英特尔VT和TXT技术 |
编辑点评:Q8200处理器与高端产品相比并不具备性能方面的优势,但是作为一款入门级产品,四核心的设计完全可以满足多线程任务的使用需要。是一款性价比较高的产品。
Intel 酷睿2四核 Q8200(散)
[参考价格] 1070元
[联系地址] 北京中关村鼎好3227#
[联系电话] 010-82696964
游戏烧友至上45nm之选
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