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改进生产工艺 IBM展示业界首块20nm晶圆


超能网 责任编辑:刘搏 【转载】 2011年01月26日 06:00 评论

  在Common Platform 2011技术大会上,IBM展示了其业界首块采用20nm工艺的晶圆。据称该晶圆不但使用了20nm LP HKMG制造工艺,还采用了Gate-Last技术。


改进生产工艺 IBM展示业界首块20nm晶圆

  IBM方面并没有透漏该块晶圆将用于制作何种芯片。据我们所知,英特尔从45nm工艺开始就坚持使用Gate-Last技术,台积电亦决定从28nm开始引入。而IBM在32nm/28nm工艺及之前一直坚持使用Gate-First,直至现在20nm工艺却进行了大转折改用了Gate-Last,至于具体原因我们就不得而知了。

改进生产工艺 IBM展示业界首块20nm晶圆

  Gate-Last(后栅极)、Gate-First(前栅极)是实现HKMG结构晶体管的两大技术流派,它们的主要在于硅晶片漏/源区离子注入、高温退火和金属栅极形成的先后,其中Gate-Last指的就是先完成前两步后再进行金属栅极形成的操作。

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