秋季IDF:45纳米Penryn将走无铅化道路

　　在美国旧金山举行的2007年秋季英特尔信息技术峰会(IDF)中，英特尔表示将继续坚持走无铅化道路。这对于生产、销售、回收、研发以及环保等各方面来说，都有着非常积极而重要的促进作用。

　　从英特尔45纳米高-k金属栅极处理器全系列开始，英特尔将实现百分之百的无铅化。英特尔45纳米高- k系列处理器包括基于Penryn核心的下一代英特尔酷睿2 双核、四核以及至强处理器。采用最新45纳米高- k技术的Penryn处理器将于2007年11月份开始正式上市。2008年，英特尔还将实现65纳米芯片组产品的百分之百无铅化。

铜质凸焊点和锡/银/铜合金组成的焊料

　　即将投产的英特尔45纳米“高-k栅介质+金属栅极”Penryn处理器系列将采用新的封装技术。该技术将使用铜质凸焊点（bump）和一种锡/银/铜的合金（如图所示）来替换掉原来的锡/铅合金焊料，这些焊料起着连接芯片（silicon die）到封装底层的作用。

第一层连接的铅/锡合金焊料将被锡/银/铜合金爆料取代

　　英特尔的45纳米处理器不仅无铅，而且还会利用英特尔的高-k硅技术降低晶体管的漏电，使处理器的能效和性能都得到极大提升。英特尔公司的45纳米高-k硅技术还包括了第三代应变硅技术以改进驱动电流，同时利用低-k电介质降低互连电容，从而在提高性能的同时降低功率。

　　英特尔45纳米高-k处理器系列将能使台式机、笔记本电脑、移动互联网设备以及服务器设计变得更轻巧时尚，体积更小，能效更高。