GlobalFoundries：2019年量产12nm工艺

　　与三星联手搞定14nm FinFET并获得AMD CPU/GPU全面采纳，又与AMD签订五年晶圆供应合约共同开发7nm工艺，习惯性炸雷的GlobalFoundries最近有点春风得意的感觉，接下来又要进军12nm工艺了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)。

　　大家都知道，目前半导体工艺已经全面从2D晶体管转向3D晶体管，Intel、台积电、三星以及GF自己都在做。

　　另一方面，AMD虽然工艺上一直落后，但有个独门秘籍那就是SOI(绝缘层上硅)，当年与蓝色巨人IBM合作搞的，可以将工艺提高半代水平，其优秀表现也是有目共睹的。

　　不过，AMD进入32nm之后就抛弃了SOI，不过独立后的GF一直保留着SOI技术，还收购了IBM的相关技术，后者最新的Power8就是采用22nm SOI工艺制造的。

　　GF此前已经全球第一家实现22nm FD-SOI(22FDX)，号称性能功耗指标堪比22nm FinFET，但是制造成本与28nm相当，适用于物联网、移动芯片、RF射频、网络芯片等，已经拿下50多家客户，2017年第一季度量产。

　　现在，GF又宣布了全新的12nm FD-SOI(12FDX)工艺，计划2019年投入量产。

　　GF表示，12FDX工艺的性能等同于10nm FinFET，但是功耗和成本低于16nm FinFET，相比现有FinFET工艺性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nm FinFET减少40％！

　　它还将提供业界最宽泛的动态电压，通过软件控制晶体管大大提升设计弹性，在高负载时可提供最高性能，静态时则具备更高能效。

　　该工艺也是针对低功耗平台的，包括移动计算、5G互连、人工智能、自动驾驶等等，中国中科院上海微电子研究所、NXP半导体、VeriSilicon半导体、CEATech、Soitec等都参与了合作。

　　GF正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDX工艺的研发，预计2019年上半年完成首批流片，并在当年投入量产。

　　简单来说，GF现在是两条腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其后者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接进军7nm FinFET。