Intel：极远紫外光刻恐将错过10nm工艺

    Intel近日亲口承认，备受关注的极远紫外光刻(EUV)技术可能又要推迟了，要赶不上10nm工艺这一里程碑步骤希望渺茫。

    Intel目前的计划是在14nm工艺上扩展193nm沉浸式光刻技术，预计2013年下半年实现，然后2015年下半年进步到10nm工艺，同时首次启用EUV技术。

    尽管10nm工艺看起来还非常遥远，但是Intel已经开始制定相关的设计规则了，EUV则很可能将错过这场盛宴。尼康公司赞助的LithoVision光刻技术大会上，Intel光刻技术主管Sam Sivakumar坦白地承认：“EUV迟到了，赶不上10nm工艺设计规则的定义。”

    尽管如此，Sivakumar还是说EUV仍然有很大的机会与10nm工艺肩并肩登场，前提是相关的制造设备能再2012年下半年供货。就算是那样，EUV也只能赶上末班车。

    Intel EUV光刻设备的供应商将在荷兰ASML Holding NV、日本尼康之间选择。据报道，ASML已经向Intel出货了一套预产型EUV光刻设备，型号“NXE:3100”，使用了Cymer Inc公司的光源。尼康则正在日本总部和Selete研发组织设计Alpha测试阶段的EUV光刻机。如果一切顺利，两家公司今年或者明年都能出货全功能、量产型的EUV设备。

    EUV极远紫外光刻是下一代半导体光刻技术，最初计划用在65nm工艺阶段，但因为种种原因而一再推迟，半导体厂商将不得不先行采用成本昂贵的双层图案光刻技术，比如Intel就会在14nm工艺上启用名为两次曝光(pitch splitting)的双层图案技术，同时也希望能在14nm工艺上开始进行EUV试验，但不知道是否来得及。