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    首个90nm!GF硅光子神突破 距离达120km

      [  中关村在线 转载  ]   作者:快科技   |  责编:赵剑楠

      GlobalFoundries(格芯)今天宣布,已经使用30m毫米晶圆,认证了行业首个90nm制造工艺的硅光子芯片,未来将使用更新的45nm工艺提升带宽和能效,推动数据中心和云应用的新一代光学互连。

      不同于利用铜线电信号传输数据的传统硅互连,硅光子技术使用光纤光脉冲,以更高的速度,在更远距离上传输数据,并降低能耗,可应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。Intel、IBM都在深入研究硅光子技术。

      GF表示,其硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路,“单芯片”方案利用标准硅制造技术,提高部署光学互连系统的效率,并降低成本。

      GF的最新硅光子产品依托90nm RF SOI工艺,发挥了其在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验,可以提供30GHz带宽的解决方案,客户端数据传输速率达到800Gbps,传输距离也增加到120km。

      该技术此前使用的晶圆为200毫米,而今GF利用位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂,认证了300毫米直径的晶圆。

      更大尺寸的晶圆有助于提高产能和生产率,让光子损失减少2倍,扩大覆盖范围,实现效率更高的光学系统。

      Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90nm技术,并提供差异化光子测试能力,包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。

    首个90nm!GF硅光子神突破:距离达120公里
     硅光子(资料图)

      GF的下一代单芯片硅光子产品将采用45nm RF SOI工艺,计划2019年投产,功耗更低,体积更小,光学收发带宽更高,可满足新一代兆兆位应用。

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