秋季IDF:45纳米Penryn将走无铅化道路

CNET中国·ZOL 【原创】 作者:中关村在线 范会文 责任编辑:向中 07年09月14日

  在美国旧金山举行的2007年秋季英特尔信息技术峰会(IDF)中,英特尔表示将继续坚持走无铅化道路。这对于生产、销售、回收、研发以及环保等各方面来说,都有着非常积极而重要的促进作用。

  从英特尔45纳米高-k金属栅极处理器全系列开始,英特尔将实现百分之百的无铅化。英特尔45纳米高- k系列处理器包括基于Penryn核心的下一代英特尔酷睿2 双核、四核以及至强处理器。采用最新45纳米高- k技术的Penryn处理器将于2007年11月份开始正式上市。2008年,英特尔还将实现65纳米芯片组产品的百分之百无铅化。


秋季IDF:45纳米Penryn将走无铅化道路

铜质凸焊点和锡/银/铜合金组成的焊料

  即将投产的英特尔45纳米“高-k栅介质+金属栅极”Penryn处理器系列将采用新的封装技术。该技术将使用铜质凸焊点(bump)和一种锡/银/铜的合金(如图所示)来替换掉原来的锡/铅合金焊料,这些焊料起着连接芯片(silicon die)到封装底层的作用。

秋季IDF:45纳米Penryn将走无铅化道路
第一层连接的铅/锡合金焊料将被锡/银/铜合金爆料取代

  英特尔的45纳米处理器不仅无铅,而且还会利用英特尔的高-k硅技术降低晶体管的漏电,使处理器的能效和性能都得到极大提升。英特尔公司的45纳米高-k硅技术还包括了第三代应变硅技术以改进驱动电流,同时利用低-k电介质降低互连电容,从而在提高性能的同时降低功率。

  英特尔45纳米高-k处理器系列将能使台式机、笔记本电脑、移动互联网设备以及服务器设计变得更轻巧时尚,体积更小,能效更高。

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