IDFO7:45纳米高K+金属栅极是40年新突破

　　2007年4月18日，CNET（中国）·ZOL北京报道：今日，在北京国际会议中心召开英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum，IDF）。会上，英特尔公司技术与制造事业部高级院士马博表示:“45纳米高K+金属栅极技术是金特尔40年来的新突破，高K电极使电流增加20%，相应性能也可提高约20%，另外可使功耗降低30%，漏极漏电降低超过5倍，氧化漏电减少10倍。”

　　英特尔目前仍在继续遵循摩尔定律不断前行，双核、四核以及多核的出现带来了性能上的成倍增长，为行业发展注入了新的活力。此前英特尔正在研发第2代SIGO应变硅技术，从七层扩大到8层，改进的低K电介质将可以提供领先的晶体管性能。之前90纳米互联技术同样采用掺碳氧化物+低K电介质，但仅提供7层铜互连接。

　　目前代号为P1266的45纳米处理器已经开始采用高K+金属栅极模式，同面积硅芯片将可使晶体管数量提高一倍，功耗可以降低30%。