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    凭啥卖999美金 新老酷睿旗舰提升多大
      [  中关村在线 原创  ]   作者:
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        两款至尊级处理器上市时都对DIY行业带来了震动,玩家使用“颠覆”与“独孤求败”来赋予对这两颗999美元售价的顶级处理器。这两颗处理器采用核心代号不同(架构不同)、工艺制程不同等,通过对比我们还能发现今天这两大旗舰处理器的更多不同之处。

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    对比测试处理器对比图

    两代核心架构的区别:

        Intel在酷睿QX9650采用了全新的架构设计,新架构被Intel命名为“Yorkfield”,在QX9650中四核心拥有8.2亿个晶体管,这比Kentsfield内核的5.82亿个晶体管足足多出了2.38亿个之多。其中,50%的二级缓存容量增长约占据了1.92亿个晶体管,而余下的部分则分别由新增的SSE4多媒体指令运算单元以及微架构的改良部分所占据。

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    Intel酷睿QX9650架构图

        架构图中,我们可以看到QX9650处理器实际是两个双核心架构组合成四核心内核,这可以说是当年最经典的“融合”技术。那么接下我们一同看一下现在桌面级旗舰处理器酷睿i7-3960X的架构设计,酷睿i7-3960X内部集成晶体管数目为22.7亿,核心大小规格为20.8mm x 20.9mm。

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    Intel酷睿i7-3960X架构图

        Intel酷睿i7-3960X处理器仍是基于Sandy Bridge微架构上做出了新改良,该处理器内部进行了重新设计,内核升级六核心设计+15MB LLC缓存。新旗舰采用原生六核心设计,LLC缓存也相应增加。内存控制器升级为四通道,更大内存带宽,以满足更复杂的应用环境。舍去了核芯显卡部分,开放外频与倍频锁设计。

    ◇ 工艺制程:45nm对比32nm

        Intel酷睿2 QX9650采用45纳米工艺制程,2007年DIY市场主流处理器均采用65纳米工艺制程,Intel酷睿2 QX9650所采用的45纳米工艺制程加入了High-k栅介质与Metal Gate栅极的引入能够使得晶体管漏电率较之传统材料降低10倍以上,与65nm制程工艺相比能够在相同耗能下提升20%的时钟频率亦或是在相同时钟频率下拥有更低的耗能。45纳米晶片每秒钟能够进行约三千亿次的开关动作,在以铜与low-k材料搭配组成的内部连接线的作用下,晶片开关速度能够提升20%且耗电量降低30%。

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    高-K栅介质

        Intel在研发65纳米工艺时,已经成功将二氧化硅的厚度降至1.2纳米—相当于五层原子的厚度的极限水平。Intel在45纳米工艺时代创新地采用Hafnium(铪)为基础的High-k材料,因为High-K材料对电子容纳的效果比二氧化硅强,可大幅减少漏电量。

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    32纳米晶体管

       科技发展速度没有随时间流逝而出现丝毫减缓,Intel经过4年的努力在2011年发布酷睿i7-3960X处理器,该处理器采用32纳米工艺制程。32纳米工艺制程标志着比四年前的45纳米工艺制程拥有更加强精湛的工艺制造技术,是人类科学史上的巨大推进。Intel将32纳米工艺制程引入到了新旗舰至尊处理器之中,让新旗舰处理器拥有了更强的性能。

    英特尔32nm制造工艺的技术优势

    32nm工艺使用第二代高-K金属栅级
    ▪▪▪▪▪▪0.9nm等价氧化物厚度高-K(45nm技术是1nm)
    ▪▪▪▪▪▪金属栅级工艺流程更新
    ▪▪▪▪▪▪30nm栅极长度
    ▪▪▪▪▪▪第四代应变硅
    有史以来最紧密的栅极间距
    ▪▪▪▪▪▪第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距
    有史以来最高的驱动电流
    ▪▪▪▪▪▪晶体管性能提升22%
    ▪▪▪▪▪▪同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%

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